V reviji Applied Physics Letters (Volume 119, Issue 1, 5 Jul. 2021) je izšel članek z naslovom Ultrafast non-thermal and thermal switching in charge configuration memory devices based on 1T-TaS₂, katerega avtorji so Dragan Mihailović, Damjan Svetin, Igor Vaskivskyi, Rok Venturini, Benjamin Lipovšek in Anže Mraz z Odseka za kompleksne snovi Inštituta ”Jožef Štefan”,  Nanocentra, Fakultete za matematiko in fiziko in Fakultete za elektrotehniko Univerze v Ljubljani. V članku je predstavljen toplotni aspekt delovanja nove vrste spominske naprave, ki temelji na ultrahitrem preklapljanju med različnimi stanji konfiguracije naboja v kristalu 1T-TaS₂. Podana je analiza časovne dinamike segrevanja spominskih naprav s pomočjo toplotnih simulacij pri različnih električnih vzbujanjih in z upoštevanjem točnih parametrov naprave. Rezultati simulacij nudijo dober vpogled v razmere med obratovanjem spominske naprave in so zelo pomembni pri nadaljnjem razvoju te tehnologije. Članek je izpostavljen tudi na naslovnici revije.

Link do članka: https://doi.org/10.1063/5.0052311